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2020, Nano Research. DOI: 10.1007/s12274-020-2672-5
DNA origami mediated electrically connected metal—semiconductor junctions
Basu R. Aryal, Dulashani R. Ranasinghe, Tyler R. Westover, Diana G. Calvopiña, Robert C. Davis, John N. Harb, Adam T. Woolley
Abstract:
No abstract available.
2024-04-24 18:51:00
#paper DNA origami mediated electrically connected metal—semiconductor junctions Pub Date : 2020-02-19 DOI : 10.1007/s12274-020-2672-5 无机纳米结构的基于DNA的纳米加工在电子,催化和等离激元学中具有潜在的应用。先前的DNA金属化已经产生了导电的DNA组装的纳米结构。然而,半导体的使用以及DNA纳米结构上良好连接的纳米级金属-半导体结的开发仍处于早期阶段。本文中,我们报告了通过金和碲纳米棒的位置特异性结合在单个DNA折纸上首次制造多个电连接的金属-半导体结。纳米棒附着到DNA折纸上的方法是通过DNA杂交获得Au,通过静电相互作用获得Te。化学镀金用于通过填充Au和Te纳米棒之间的间隙来创建纳米级金属-半导体界面。两点电特性表明,Au-Te-Au结已电连接,电流-电压特性与肖特基结一致。基于DNA的金属-半导体结的纳米加工为纳米电子学打开了潜在的机遇,证明了这种自下而上方法的强大功能。
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